nabeの雑記帳

2006/06/27(火)引き続き、アンプ修理

電子::アンプ

これまでの様子。6/24、6/25、6/26

損傷範囲

Zobelネットワークをはずしたことに高域発振による損傷ですが、

10Aヒューズ１ヶ
L側終段トランジスタ４ヶ*1
エミッタ抵抗１ヶ（0.33Ω、5W、無誘導セメント抵抗）

となりました。ヒューズはどうにでもなりますし、終段トランジスタは事故を見越したかのように予備があるので大丈夫ですが（苦笑）、セメント抵抗がなぁ……。無誘導セメント抵抗なんでまずこの辺じゃ手に入りませんよ（汗）

~~とりあえず手元にある部品として、10Ω酸化金属皮膜抵抗（たしか1W）を３個並列にしておこうと思います~~。ちなみにこの抵抗、強く磁石にくっつきますが（強磁性）気にしない方向で。ここのセメント抵抗は違うものに取り替えてみたかったので、いいきっかけといえばそうなのですが（微妙

メモ１、メモ２

負帰還、正帰還、発振について

NFB（負帰還）における発振という話が、極（ポール）だの位相だのと書かれていましたその手の話はあれこれ本で読んでるので概念的には分かっている*2んですが、いまいち実態（回路）と結びつかずに困っています。

アンプの裸のゲインをＡ、帰還率βとしたとき、

負帰還の増幅率：１／β

ですが、

位相が反転したときの増幅率：Ａβ

ということが話を理解しにくくする原因みたいです。これをデシベル換算で書くと

裸のゲイン(Ga) = 負帰還時の利得(Gc) + 位相反転する周波数帯に対する増幅率(Gb)

となります。言葉でまとめると、

NFBをたくさんかける＝Gbを増やす＝アンプ全体の利得(Gc)を減らす
NFBをかけない＝GaとGcが等しい＝位相反転しても怖くない

「出力→Ra→Rb→GND」のときのRb←→GNDが帰還電圧とすると

変化	帰還率β	全体利得Gc	帰還量Gb
Raが増える	減る	増える	減る
Rbが増える	増える	減る	増える

Zobelネットワーク再考察

要するに特性の良いトランジスタでエミッタフォロアを組んだとき、それ単体で発振回路（コルピッツ型）となるらしい。（考察の続き）

Zobelネットワークは、スピーカーネットワーク設計時に行うスピーカーユニットのインピーダンスが一定という仮定を満たすためにスピーカーユニットと並列に挿入されるもので、付けないと（音声帯域の）高域がキンキンしたりするそうです。そのために10Ω+1uF～0.047uFという比較的大きな容量のコンデンサが付いている（計算するとスピーカユニットのインピーダンスが上昇し始める1kΩ付近から効きはじめる）。電圧制御アンプ（通常のアンプ）である限り理屈の上では音質に影響はない*3。

また、エミッタフォロアの発振防止のために、スナバ（＝Zobelネットワークとほぼ同一）と呼ばれる高周波減衰用の抵抗＋コンデンサが必要。こちらはおそらくMHzといった高域で十分な低インピーダンスにする目的があるとおもわれる。

この２つは目的は違うのだけども、回路としては同一で、しかも大は小を兼ねるから前者の形で実装されている……のではないかという仮説（まだ未検証です）。